耐高溫制程，無(wú)殘膠、無(wú)膠印,平整性良好；

適用于半導體封裝過(guò)種中，防止環(huán)氧滲透；

SPI-25：①總厚度：31~34μm ②基材厚度：25μm ③粘性：80~130g/in ④撕開(kāi)力：＜12g/in

SPI-25F：①總厚度：31~34μm ②基材厚度：25μm ③粘性：80~130g/in ④撕開(kāi)力：＜7g/in

SPI-25C：①總厚度：31~34μm ②基材厚度：25μm ③粘性：50~80g/in ④撕開(kāi)力：＜12g/in